0 800 330 485
Працюємо без вихідних!
Гаряча лінія
Графік роботи
Пн - Пт 09:00 - 20:00
Сб - Нд 10:00 - 17:00
Пишіть в чат:
Для отримання інформації щодо існуючого замовлення - прохання використовувати наш внутрішній чат.

Щоб скористатися внутрішнім чатом:

  1. Авторизуйтеся у кабінеті клієнта
  2. Відкрийте Ваше замовлення
  3. Можете писати та надсилати файли Вашому менеджеру

Імпедансний аналіз твердих тіл. Визначення питомого опору матеріалу зернини в порошкових структурах (ID:1211027)

Тип роботи: інше
Дисципліна:Фізика
Сторінок: 12
Рік виконання: 2023
Вартість: 100
Купити цю роботу
Зміст
Мета роботи полягає в опануванні практичними навичками визначення питомого опору матеріалу макро- і нанорозмірної зернини в порошкових структурах та кераміках.
Не підійшла ця робота?
Ви можете замовити написання нової роботи "під ключ" із гарантією
Замовити нову
Зразок роботи
Нанокристалічні оксиди металів широко використовуються для створення електрохімічних пристроїв, газових сенсорів, сонячних батарей, оптоелектронних перетворювачів. Провідність таких матеріалів залежить як від об’ємних характеристик монокристалічного зерна (відхилення від стехіометрії, наявність легуючих домішок, ступінь досконалості структури), так і від стану міжзеренних границь і пористості матеріалу. В ультрадисперсній кераміці одним із ключових параметрів, який регулює співвідношення між вкладами у провідність від об’єму зерна, поверхні і границь розділу, являється розмір нанокристалітів. Вклад від границь кристалітів видається особливо важливим при використанні нанокристалічних оксидів в якості газових сенсорів. Одним із найбільш інформативних інструментів дослідження провідності керамік взагалі і ультрадисперсних систем зокрема являється спектроскопія повного імпедансу. Аналіз годографів повного імпедансу в рамках методу еквівалентних схем дозволяє розділити вклади в провідність від міжкристалітних границь і об’єму зерен. Відповідна електрична еквівалентна схема наведена на вставці до рис. 2.1. На цьому ж рисунку наведені діаграми Найквіста для двох зразків з розмірами нанокристалітів 3 нм (а) і 35 нм (b). Точками показані експериментальні дані, суцільні лінії—результат розрахунку графоаналітичним методом. Використана для апроксимації еквівалентна схема включає низькочастотну RB ,CB і високочастотну RV ,CV RC -ланки. Можна допустити, що низькочастотний контур RBCB відповідає процесам транспорту носіїв через границі зерен. На користь цього факту говорить зміна енергії активації при зміні розмірів кристалітів. Високочастотний контур RV CV може відповідати провідності об’єму кристалітів.